
簡單介紹
MOCVD機集氣環可用純鉬或鉬合金制作。 MOCVD機集氣環的使用環境對材料的純度、抗蠕變性能均有較高要求。
產品描述
金屬有機物化學氣相淀積(簡稱MOCVD)是技術生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應室,在加熱的襯底表面發生反應,外延生長化合物晶體薄膜。
LED的發光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的復合材料,由于Mocvd技術在外延片上的成功運用,使得此種設備使用量迅速增加。
由于MOCVD設備工作時工作溫度高于2000℃,鎢鉬也是該設備集氣環等部分組件的優選材料。
集氣環可由純鉬或高溫鉬制作。
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