金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD)是技術(shù)生長(zhǎng)III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮?dú)庾鳛檩d氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應(yīng)室,在加熱的襯底表面發(fā)生反應(yīng),外延生長(zhǎng)化合物晶體薄膜。
LED的發(fā)光核心是一種稱(chēng)為外延片(Epitaxial Slice)的復(fù)合材料,由于Mocvd技術(shù)在外延片上的成功運(yùn)用,使得此種設(shè)備使用量迅速增加。
MOCVD機(jī)支架材料純度可以達(dá)到99.95%以上。