金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（簡(jiǎn)稱(chēng)MOCVD）是技術(shù)生長(zhǎng)III-V族，II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮?dú)庾鳛檩d氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與V族的氫化物（如NH3、PH3、AsH3）混合，通入反應(yīng)室，在加熱的襯底表面發(fā)生反應(yīng)，外延生長(zhǎng)化合物晶體薄膜。
LED的發(fā)光核心是一種稱(chēng)為外延片（Epitaxial Slice）的復(fù)合材料，由于Mocvd技術(shù)在外延片上的成功運(yùn)用，使得此種設(shè)備使用量迅速增加。
MOCVD機(jī)支架材料純度可以達(dá)到99.95%以上。